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仕 様
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■ ワイドギャップ半導体（GaN、SiCなど）のオーミック電極アロイ、アニールに好適
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■ 小型特殊高温炉使用
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■ 常用温度帯
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： 800〜1300℃（MAX1300℃）
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■ 面内温度分布
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： 4インチウエハ面内±3℃（1200℃時）
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(0.5mm厚 カーボントレー上)
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■ 対応基板サイズ
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： φ3〜6インチ
（φ6インチ対応はオプション）
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■ ウェーハ搬送
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： 枚葉式ロボット搬送 （25枚カセット対応）
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■ 処理雰囲気
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： 不活性ガス中（Ｈ２雰囲気はオプション）
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■ 標準装置サイズ
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： 1,000（Ｗ）×1,750（Ｄ）×1,450（Ｈ）
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■ 装置重量
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： 約950ｋｇ
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仕 様
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■ 各種のアロイ、アニールなどに好適
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■ 小型特殊高温炉使用
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■ 常用温度帯
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： 500〜800℃（MAX850℃）
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■ 面内温度分布
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： 4インチウエーハ面内±3℃（800℃時）
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■ 対応基板サイズ
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： φ２〜４インチ（φ６インチ対応はオプション）
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■ ウェーハ搬送
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： 枚葉式ロボット搬送 （25枚カセット対応）
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■ 処理雰囲気
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： 不活性ガス、または減圧中
（Ｏ２またはＨ２雰囲気はオプション）
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■ 標準装置サイズ
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： 960(W)×1,650(D)×1,450(H)（Ｈ）
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■ 装置重量
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： 約850ｋｇ
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仕 様
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■ 汎用化合物半導体（ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系）のオーミック電極アロイ、アニールなどに好適
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■ 小型特殊高温炉使用
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■ 常用温度帯
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： 300〜500℃（MAX550℃）
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■ 面内温度分布
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： 4インチウエーハ面内±2℃（450℃時）
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■ 対応基板サイズ
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： φ２〜４インチ（φ６インチ対応はオプション）
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■ ウェーハ搬送
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： 枚葉式ロボット搬送 （25枚カセット対応）
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■ 処理雰囲気
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： 不活性ガス中（Ｏ２またはＨ２雰囲気はオプション）
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■ 標準装置サイズ
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： 900(W)×1,210(D)×1,450(H)
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■ 装置重量
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： 約750ｋｇ
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